GeneralDiriliş Postası1 h agoİki boyutlu yarı iletkenlerde tek kristal büyütme yöntemi geliştirildi: Başarı oranı yüzde 99,3KAIST ve TDS Innovation araştırmacıları, MoS₂ gibi iki boyutlu malzemelerde rastgele kristalleşme sorununu aşan EF-SCN yöntemini geliştirdi. 400 desenli bölgenin 397'sinde tek kristal elde edildi.ReactComments